ГОСТ 27299-87
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Semiconductor optoelectronic devices.
Terms, definitions and letter symbols of parameters
MКC 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6201
Дата введения 1988-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ:
В.Н.Алмазова (руководитель темы), Ж.А.Крайтман
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.04.87 N 1383
3. Срок первой проверки 1998 г.
Периодичность проверки 10 лет
4. Стандарт соответствует СТ СЭВ 3787-82 в части разд.1 и 3.
5. ВЗАМЕН ГОСТ 22274-80, ГОСТ 23562-79, ГОСТ 24403-80
6. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
|
Обозначение НТД, на который дана ссылка |
Номер пункта |
|
1 |
7. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины, буквенные обозначения и определения приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп" .
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл.2 и 3.
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечест- венное |
между- народное |
||
|
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ | |||
|
1. Поток излучения |
|
|
По ГОСТ 7601 |
|
2. Мощность излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Суммарный поток излучения на выходе полупроводникового излучателя |
|
3. Сила излучения |
|
|
По ГОСТ 7601 |
|
4. Энергетическая яркость |
|
|
По ГОСТ 7601 |
|
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя |
- |
- |
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси |
|
6. Угол излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения |
|
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя |
|
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения |
|
9. Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
- |
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения |
|
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя |
- |
- |
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя |
|
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя |
- |
- |
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя |
|
12. Угол расхождения |
|
|
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя |
|
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя |
|
|
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении |
|
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя |
|
|
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса |
|
15. Средний прямой ток полупроводникового излучателя |
|
|
Среднее за период значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель |
|
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя |
|
|
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении |
|
17. Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя |
|
|
Значение постоянного напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном постоянном прямом токе |
|
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя |
|
|
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе |
|
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя |
|
|
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении |
|
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя |
|
- |
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе |
|
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя |
|
|
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение |
|
22. Общая емкость полупроводникового излучателя |
|
|
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте |
|
23. Емкость перехода полупроводникового излучателя |
|
|
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте |
|
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя |
|
|
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе |
|
25. Средняя рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя |
|
|
Среднее за период значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при протекании тока в прямом и обратном направлениях |
|
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя |
|
|
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью |
|
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90% своего максимального значения |
|
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения |
|
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя |
|
|
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов |
|
30. Световой поток |
|
|
По ГОСТ 7601 |
|
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя |
|
|
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме |
|
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя |
|
|
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды |
|
ПАРАМЕТРЫ ОПТОПАР, ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ КОММУТАТОРОВ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ | |||
|
33. Входное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Значение напряжения на входе оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) в заданном режиме. |
|
34. Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Значение напряжения, приложенного между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечивается ее электрическая прочность |
|
35. Постоянное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
- |
- |
- |
|
36. Повторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатороа, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) с заданной длительностью и частотой повторения импульсов |
|
37. Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
- |
|
38. Входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
39. Импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Наибольшее мгновенное значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечиваются заданные параметры |
|
40. Сопротивление изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Значение активного сопротивления между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
41. Проходная емкость оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
|
Значение емкости между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
42. Критическая скорость изменения напряжения изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
- |
Наибольшее значение скорости изменения напряжения изоляции, при которой не происходит срабатывания оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
43. Выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Значение напряжения на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в открытом состоянии |
|
44. Коммутируемое напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
- |
Значение напряжения, подключаемого к нагрузке оптопары (оптоэлектронного коммутатора) выходным ключевым элементом |
|
45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии |
|
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов |
|
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения |
|
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала |
|
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения |
|
50. Время сохранения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Интервал времени между 90% значения входного сигнала и 90% выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по спаду импульсов |
|
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) |
|
|
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала |
|
52. Обратное входное напряжение оптопары |
|
|
Значение напряжения на входе оптопары, приложенное в обратном направлении |
|
53. Обратное выходное напряжение оптопары |
|
- |
Наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента |
|
54. Фотоэлектродвижущая сила диодной оптопары |
|
- |
Электродвижущая сила на выходе диодной оптопары в вентильном режиме работы фотоприемного элемента при заданном входном токе |
|
55. Прямое выходное напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
|
- |
Значение напряжения на выходе тиристорной оптопары, находящейся в закрытом состоянии |
|
56. Ток включения тиристорной оптопары |
|
|
Входной ток тиристорной оптопары обеспечивающий включение фотоприемного элемента |
|
57. Ток выключения тиристорной оптопары |
|
|
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента |
|
58. Ток удержания тиристорной оптопары |
|
- |
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю |
|
59. Выходной ток оптопары |
|
|
Значение тока, протекающего в цепи нагрузки оптопары в заданном режиме |
|
60. Импульсный выходной ток оптопары |
|
- |
Наибольшее мгновенное значение выходного тока оптопары |
|
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары |
|
|
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения |
|
62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары |
|
|
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения |
|
63. Коэффициент передачи по току оптопары |
|
|
Отношение разности выходного тока и тока утечки на выходе оптопары к вызвавшему его входному току |
|
64. Рассеиваемая мощность оптопары |
|
- |
Наибольшее значение мощности, которую способна рассеять оптопара в заданном режиме при длительной работе |
|
65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
|
- |
Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю |
|
66. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
|
- |
Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
|
67. Критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары |
|
- |
Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое |
|
68. Время выключения тиристорной оптопары |
|
- |
Наименьший интервал времени между моментом, когда выходной ток тиристорной оптопары понизится до нулевого значения, и моментом, в который подача прямого выходного напряжения в закрытом состоянии с заданной скоростью нарастания не приводит к переключению фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое |
|
69. Коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора |
|
- |
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптоэлектронного коммутатора в открытом состоянии |
|
70. Выходное сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора |
|
- |
- |
|
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя |
|
|
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме |
|
72. Выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
|
- |
|
73. Выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
|
- |
|
74. Напряжение питания оптоэлектронного переключателя |
|
|
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме |
|
75. Выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
|
Значение выходного тока при выходном напряжении высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
76. Выходной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
|
Значение выходного тока при выходном напряжении низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
77. Пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
|
Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое |
|
78. Пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
|
Наибольшее значение входного тока низкого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое |
|
79. Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
|
|
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня |
|
80. Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
|
|
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня |
|
81. Динамический ток потребления оптоэлектронного переключателя |
|
- |
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания в режиме переключения |
|
82. Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя |
|
- |
Значение суммарной емкости внешних цепей, подключенных к выходу оптоэлектронного переключателя |
|
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя |
|
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения |
|
84. Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя |
|
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
85. Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя |
|
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения |
|
86. Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя |
|
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения |
|
87. Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя |
|
|
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
88. Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя |
|
|
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
89. Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя |
|
|
Число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя |
, 
, 
, 
, 
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
|
Термин |
Номер термина |
|
Время включения |
48 |
|
Время включения оптопары |
48 |
|
Время включения оптоэлектронного коммутатора |
48 |
|
Время выключения |
51 |
|
Время выключения оптопары |
51 |
|
Время выключения оптоэлектронного коммутатора |
51 |
|
Время выключения тиристорной оптопары |
68 |
|
Время задержки |
46 |
|
Время задержки включения |
83 |
|
Время задержки включения оптоэлектронного переключателя |
83 |
|
Время задержки выключения |
84 |
|
Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя |
84 |
|
Время задержки оптопары |
46 |
|
Время задержки оптоэлектронного коммутатора |
46 |
|
Время задержки при включении |
29 |
|
Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя |
29 |
|
Время задержки распространения сигнала при включении |
85 |
|
Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя |
85 |
|
Время задержки распространения сигнала при выключении |
86 |
|
Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя |
86 |
|
Время нарастания |
47 |
|
Время нарастания выходного сигнала оптопары |
47 |
|
Время нарастания выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора |
47 |
|
Время нарастания импульса |
27 |
|
Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя |
27 |
|
Время перехода при включении |
87 |
|
Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя |
87 |
|
Время перехода при выключении |
88 |
|
Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя |
88 |
|
Время сохранения |
50 |
|
Время сохранения оптопары |
50 |
|
Время сохранения оптоэлектронного коммутатора |
50 |
|
Время спада |
49 |
|
Время спада выходного сигнала оптопары |
49 |
|
Время спада выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора |
49 |
|
Время спада импульса |
28 |
|
Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя |
28 |
|
Диаграмма направленности излучения |
5 |
|
Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя |
5 |
|
Длина волны излучения |
7 |
|
Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя |
7 |
|
Длительность импульса излучения |
9 |
|
Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя |
9 |
|
Емкость выходная |
71 |
|
Емкость общая |
22 |
|
Емкость оптоэлектронного переключателя выходная |
71 |
|
Емкость нагрузки |
82 |
|
Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя |
82 |
|
Емкость оптопары проходная |
41 |
|
Емкость оптоэлектронного коммутатора проходная |
41 |
|
Емкость оптоэлектронного переключателя проходная |
41 |
|
Емкость перехода |
23 |
|
Емкость перехода полупроводникового излучателя |
23 |
|
Емкость полупроводникового излучателя общая |
22 |
|
Емкость проходная |
41 |
|
Коэффициент передачи по току |
63 |
|
Коэффициент передачи по току оптопары |
63 |
|
Коэффициент прямого напряжения температурный |
32 |
|
Коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя температурный |
32 |
|
Коэффициент разветвления |
89 |
|
Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя |
89 |
|
Мощность излучения |
2 |
|
Мощность излучения полупроводникового излучателя |
2 |
|
Мощность оптопары рассеиваемая |
64 |
|
Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая импульсная |
26 |
|
Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая средняя |
25 |
|
Мощность рассеиваемая |
64 |
|
Мощность рассеиваемая импульсная |
26 |
|
Мощность рассеиваемая средняя |
25 |
|
Напряжение в закрытом состоянии выходное прямое |
55 |
|
Напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары выходное прямое |
55 |
|
Напряжение входное |
33 |
|
Напряжение входное обратное |
52 |
|
Напряжение высокого уровня выходное |
72 |
|
Напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходное |
72 |
|
Напряжение выходное обратное |
53 |
|
Напряжение изоляции |
34 |
|
Напряжение изоляции импульсное неповторяющееся |
37 |
|
Напряжение изоляции импульсное повторяющееся |
36 |
|
Напряжение изоляции оптопары |
34 |
|
Напряжение изоляции оптопары импульсное неповторяющееся |
37 |
|
Напряжение изоляции оптопары импульсное повторяющееся |
36 |
|
Напряжение изоляции оптопары постоянное |
35 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора |
34 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное неповторяющееся |
37 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное повторяющееся |
36 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора постоянное |
35 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя |
34 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное неповторяющееся |
37 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное повторяющееся |
36 |
|
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя постоянное |
35 |
|
Напряжение изоляции постоянное |
35 |
|
Напряжение коммутируемое |
44 |
|
Напряжение низкого уровня выходное |
73 |
|
Напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходное |
73 |
|
Напряжение обратное импульсное |
20 |
|
Напряжение обратное постоянное |
19 |
|
Напряжение оптопары входное |
33 |
|
Напряжение оптопары входное обратное |
52 |
|
Напряжение оптопары выходное обратное |
53 |
|
Напряжение оптопары коммутируемое |
44 |
|
Напряжение оптопары остаточное выходное |
43 |
|
Напряжение оптоэлектронного коммутатора входное |
33 |
|
Напряжение оптоэлектронного коммутатора коммутируемое |
44 |
|
Напряжение оптоэлектронного коммутатора остаточное выходное |
43 |
|
Напряжение оптоэлектронного переключателя входное |
33 |
|
Напряжение остаточное выходное |
43 |
|
Напряжение питания |
74 |
|
Напряжение питания оптоэлектронного переключателя |
74 |
|
Напряжение полупроводникового излучателя обратное импульсное |
20 |
|
Напряжение полупроводникового излучателя обратное постоянное |
19 |
|
Напряжение полупроводникового излучателя прямое импульсное |
18 |
|
Напряжение полупроводникового излучателя прямое постоянное |
17 |
|
Напряжение пробоя |
21 |
|
Напряжение пробоя полупроводникового излучателя |
21 |
|
Напряжение прямое импульсное |
18 |
|
Напряжение прямое постоянное |
17 |
|
Напряжение развязки |
34 |
|
Ось геометрическая |
11 |
|
Ось оптическая |
10 |
|
Ось полупроводникового излучателя геометрическая |
11 |
|
Ось полупроводникового излучателя оптическая |
10 |
|
Поток излучения |
1 |
|
Поток световой |
30 |
|
Сила диодной оптопары фотоэлектродвижущая |
54 |
|
Сила излучения |
3 |
|
Скорость изменения напряжения изоляции критическая |
42 |
|
Скорость изменения напряжения изоляции оптопары критическая |
42 |
|
Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного коммутатора критическая |
42 |
|
Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного переключателя критическая |
42 |
|
Скорость нарастания коммутируемого напряжения критическая |
67 |
|
Скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары критическая |
67 |
|
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
65 |
|
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии критическая |
66 |
|
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
65 |
|
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары критическая |
66 |
|
Сопротивление в открытом состоянии выходное |
70 |
|
Сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора выходное |
70 |
|
Сопротивление динамическое |
24 |
|
Сопротивление изоляции |
40 |
|
Сопротивление изоляции оптопары |
40 |
|
Сопротивление изоляции оптоэлектронного коммутатора |
40 |
|
Сопротивление изоляции оптоэлектронного переключателя |
40 |
|
Сопротивление полупроводникового излучателя динамическое |
24 |
|
Сопротивление полупроводникового излучателя тепловое |
31 |
|
Сопротивление развязки |
40 |
|
Сопротивление резисторной оптопары выходное световое |
62 |
|
Сопротивление резисторной оптопары выходное темновое |
61 |
|
Сопротивление световое |
62 |
|
Сопротивление темновое |
61 |
|
Сопротивление тепловое |
31 |
|
Ток включения |
56 |
|
Ток включения тиристорной оптопары |
56 |
|
Ток входной |
38 |
|
Ток входной импульсный |
39 |
|
Ток выключения |
57 |
|
Ток выключения тиристорной оптопары |
57 |
|
Ток высокого уровня входной пороговый |
77 |
|
Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый |
77 |
|
Ток высокого уровня выходной |
75 |
|
Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходной |
75 |
|
Ток выходной |
59 |
|
Ток выходной импульсный |
60 |
|
Ток коммутируемый |
69 |
|
Ток низкого уровня входной пороговый |
78 |
|
Ток низкого уровня выходной |
76 |
|
Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый |
78 |
|
Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходной |
76 |
|
Ток обратный постоянный |
16 |
|
Ток оптопары входной |
38 |
|
Ток оптопары входной импульсный |
39 |
|
Ток оптопары выходной |
59 |
|
Ток оптопары выходной импульсный |
60 |
|
Ток оптоэлектронного коммутатора входной |
38 |
|
Ток оптоэлектронного коммутатора входной импульсный |
39 |
|
Ток оптоэлектронного коммутатора коммутируемый |
69 |
|
Ток оптоэлектронного переключателя входной |
38 |
|
Ток оптоэлектронного переключателя входной импульсный |
39 |
|
Ток полупроводникового излучателя обратный постоянный |
16 |
|
Ток полупроводникового излучателя прямой импульсный |
14 |
|
Ток полупроводникового излучателя прямой постоянный |
13 |
|
Ток полупроводникового излучателя прямой средний |
15 |
|
Ток потребления динамический |
81 |
|
Ток потребления оптоэлектронного переключателя динамический |
81 |
|
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного |
79 |
|
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
80 |
|
Ток прямой импульсный |
14 |
|
Ток прямой постоянный |
13 |
|
Ток прямой средний |
15 |
|
Ток удержания |
58 |
|
Ток удержания тиристорной оптопары |
58 |
|
Ток утечки |
45 |
|
Ток утечки на выходе оптопары |
45 |
|
Ток утечки на выходе оптоэлектронного коммутатора |
45 |
|
Угол излучения |
6 |
|
Угол излучения полупроводникового излучателя |
6 |
|
Угол расхождения |
12 |
|
Фото-э.д.с. |
54 |
|
Ширина спектра |
8 |
|
Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя |
8 |
|
Яркость энергетическая |
4 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
|
Термин |
Номер термина |
|
Average forward current |
15 |
|
Average power dissipation |
25 |
|
Breakdown voltage |
21 |
|
Capacitance of load |
82 |
|
Commutation current |
69 |
|
Continuous (direct) forward current |
13 |
|
Continuous (direct) forward voltage |
17 |
|
Current consumption at high-level of output voltage |
79 |
|
Current consumption at low-level of output voltage |
80 |
|
Current transfer ratio |
63 |
|
Dark resistance |
61 |
|
Delay time |
46 |
|
Dynamic resistance |
24 |
|
Fall time |
28, 49 |
|
Fan-out |
89 |
|
Forward voltage temperature coefficient |
32 |
|
Half-intensity beam |
6 |
|
High-level output current |
75 |
|
High-level output voltage |
72 |
|
High-level threshold input current |
77 |
|
Holding current |
58 |
|
Input current |
38 |
|
Input maximum current |
39 |
|
Input reverse voltage |
52 |
|
Input-to-output capacitance |
41 |
|
Input voltage |
33 |
|
Isolation resistance between input and output |
40 |
|
Leakage current |
45 |
|
Low-level output current |
76 |
|
Low-level output voltage |
73 |
|
Low-level threshold input current |
78 |
|
Luminous flux |
30 |
|
Maximum peak forward voltage |
18 |
|
Maximum peak power |
26 |
|
Mechanical axis |
11 |
|
Non-repetitive peak isolation voltage |
37 |
|
Optical axis |
10 |
|
Output capacitance |
71 |
|
Output current |
59 |
|
Output maximum peak current |
60 |
|
Output rest voltage |
43 |
|
Output reverse voltage |
53 |
|
Peak emission wavelength |
7 |
|
Peak forward current |
14 |
|
Peak reverse voltage |
20 |
|
Propagation delay time high to low output |
85 |
|
Radiance |
4 |
|
Radiant flux |
1 |
|
Radiant intensity |
3 |
|
Radiant power |
2 |
|
Radiation diagram |
5 |
|
Rate of rise of state voltage |
65 |
|
Repetitive peak isolation voltage |
36 |
|
Resistance under illumination |
62 |
|
Reverse continuous current |
16 |
|
Reverse continuous voltage |
19 |
|
Rise time |
27, 47 |
|
Spectral radiation bandwidth |
8 |
|
Squinting angle |
12 |
|
Storage time |
50 |
|
Supply voltage |
74 |
|
Total capacitance |
22 |
|
Total thermal resistance |
31 |
|
Turn-off current |
57 |
|
Turn-off delay time |
84 |
|
Turn-off time |
51 |
|
Turn-off transition time |
88 |
|
Turn-on current |
56 |
|
Turn-on delay time |
29, 83 |
|
Turn-on time |
48 |
|
Turn-on transition time |
87 |
Текст документа сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения.
Часть 3: Сб. стандартов. -
М.: Стандартинформ, 2005