    Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. N 1960 дата введения установлена 01.01.75

    ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в августе 1982 г. (ИУС 12-82).


    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.

    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

    Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771-80.

    Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные - к параметрам большого сигнала.

    В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс "макс".

    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

    В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.

    В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.

Термин	Буквенное обозначение		Определение
	отечественное	международное
1. Начальный ток стока D. Drain-Source-Kurzsch-lubstrom E. Drain current for V=0 F. Courant de drain pour V			Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения
1a. Ток стока D. Drainstrom E. Drain current F. Courant de drain			Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток
2. Остаточный ток стока D. Drain-Reststrom E. Drain cut-off current F. Courant de drain au blocage			Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки
2a. Ток стока при нагруженном затворе D. Drainstrom bei Widerstand-sabschluss zwischen Source und Gate E. Drain current at a specified gatesource resistance F. Courant de drain pour une grillesource			Ток стока при заданном напряжении сток-исток и включенном между затвором и истоком резистором
2б. Ток истока D. Sourcesstrom E. Source current F. Courant de source			-
2в. Начальный ток истока D. Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate E. Source current witg gate shortcircuited to drain F. Courant de source la grille court- au drain			Ток истока при напряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток-исток
2г. Остаточный ток истока D. Sourcereststrom F. Source current at a specified gatedrain condition F. Courant de source dans des conditions grilledrain			Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток-исток
2д. Ток затвора D. Gatestrom E. Gate current F. Courant de grille			-
2е. Прямой ток затвора D. Gatedurchlassstrom E. Forward gate current F. Courant directe de grille			-
2ж. Ток отсечки затвора D. Gatesperrstrom bei vorge-gebener Drain-Source-Spannung E. Gate cut-off current (of a fieldeffect transistor) with specified drain-source circuit conditions F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source			Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток
3. Ток утечки затвора D. Gatereststrom E. Gate leakage current F. Courant de fuite de drain			Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой
4. Обратный ток перехода затвор-сток D. Gatereststrom (Source offen) E. Gate cut-off current with source open-circuited F. Courant de grille			Ток, протекающий в цепи затвор-сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами
5. Обратный ток перехода затвор-исток D. Gatereststrom (Drain offen) E. Gate cut-off current with drain open-circuited F. Courant de grille le drain en circuit ouvert			Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами
5a. Ток подложки D. Substratstrom E. Substrate current F. Courant de substrat			-
6. Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение отсечки D. Gate-Source-Spannung E. Gate-source cut-off voltage F. Tension grille-source de blocage			Напряжение между затвором и истоком транзистора с переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения
7. Пороговое напряжение полевого транзистора Пороговое напряжение D. Schwellspannung E. Gate-source threshold voltage F. Tension de seuil grille-source			Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения
7a. Напряжение сток-исток D. Drain-Source-Spannung E. Drain-source (d. c.) voltage F. Tension (continue) drain-source			-
7б. Напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Spannung E. Gate-source (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-source			-
7в. Прямое напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Durch-lassspannung E. Forward gate-source (d. с.) voltage F. Tension directe (continue) grille-source			-
7г. Обратное напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Sperrspannung E. Reverse gate-source (d. c.) voltage F. Tension inverse (continue) grille-source			-
7д. Напряжение затвор-сток D. Gate-Drain-Spannung E. Gate-drain (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-drain			-
7e. Напряжение исток-подложка D. Source-Substrat-Spannung E. Source-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) source-substrat			-
7ж. Напряжение сток-подложка D. Drain-Substrat-Spannung E. Drain-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) drain-substrat			-
7з. Напряжение затвор-подложка D. Gate-Substrat-Spannung E. Gate-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-substrat			-
7и. Пробивное напряжение затвора D. Gate-Source-Durchbruch-spannung E. Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source) F. Tension de claquage grillesource			Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке
8. Крутизна характеристики полевого транзистора Крутизна характеристики D. E. Forward transconductance F. Transconductance directe			Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком
9. Крутизна характеристики по подложке			Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком
10. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии D. Drain-Source-Widerstand bei Transistor E. Drain-source onstate resistance F. drainsource passent			Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжении насыщения
10a. Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии D. Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor E. Drain-source off-state resistance F. drain-source			Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток
11. Емкость сток-исток D. Drain-Source E. Drain-source capacitance F. Capacite drain-source			Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах
12. Емкость затвор-сток D. Gate-Drain E. Gate-drain capacitance F. grille-drain			Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах
13. Емкость затвор-исток D. Gate-Source E. Gate-source capacitance F. grille-source			Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах
14. Входная емкость полевого транзистора Входная емкость D. E. Input capacitance F.			Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком
15. Выходная емкость полевого транзистора Выходная емкость D. E. Output capacitance F. de sortie			Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком
16. Проходная емкость полевого транзистора Проходная емкость D. E. Reverse transfer capacitance F. de transfert inverse			Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком
17. Полная входная проводимость полевого транзистора Полная входная проводимость D. Kurzschluss-Eingangs-scheinleitwert E. Schort-circuit input admittance F. Admittance d'entree, la sortie etant en court-circuit			-
18. Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора Активная входная проводимость D. Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes E. Short-circuit input conductance F. Conductance , la sortie en court-circuit			-
19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора Полная проводимость обратной передачи D. Kurzschlussscheinleitwert E. Short-circuit reverse transfer admittance F. Admittance de transfert inverse, en court-circuit			-
20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости обратной передачи D. Betrag des Kurzschlusswertes E. Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance F. Module de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit			-
21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора Полная проводимость прямой передачи D. Kurzschluss F. Short-circuit forward transfer admittance F. Admittance de transfert direct, la sortie, etant en court-circuit			-
22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости прямой передачи D. Betrag des Kurzschluss- E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance F. Module de l'admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit			-
23. Полная выходная проводимость полевого транзистора Полная выходная проводимость D. Kurzschluss-Ausgangs-scheinleitwert E. Short-circuit output admittance F. Admittance de sortie, en court-circuit			-
24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора Активная выходная проводимость D. Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes E. Short-circuit output conductance F. Conductance de sortie, en court-circuit			-
25. Шумовое напряжение полевого транзистора Шумовое напряжение D. Rauschspannung E. Noise voltage F. Tension de bruit			Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком
26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора э.д.с. шума D. Rauschurspannung E. Noise force electrovelocity			Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком
27. Шумовой ток полевого транзистора Шумовой ток D. Rauschstrom E. Noise current F. Courant de bruit			Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком
28. Шумовое сопротивление полевого транзистора Шумовое сопротивление D. Rauschwiderstand E. Noise resistance F. de bruit			Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением , где - э.д.с. шума
29. Коэффициент шума полевого транзистора Коэффициент шума D. Rauschfaktor E. Noise figure F. Facteur de bruit			Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
30. Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора Коэффициент усиления по мощности D. E. Power gain F. Gain en puissance			Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения
31. Время задержки включения полевого транзистора Время задержки включения D. E. Turn-on delay time F. Retard la croissance			Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса
32. Время нарастания для полевого транзистора Время нарастания D. Anstiegszeit E. Rise time F. Temps de croissance			Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора
33. Время задержки выключения полевого транзистора Время задержки выключения D. E. Turn-off delay time F. Retard			Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса
34. Время спада для полевого транзистора Время спада D. Abfallzeit E. Fall time F. Temps de			Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора
35. Время включения полевого транзистора Время включения D. Einschaltzeit E. Turn-on time F. Temps total			Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора
36. Время выключения полевого транзистора Время выключения D. Ausschaltzeit E. Turn-off time F. Temps total de coupure			Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада
37. Разность напряжений затвор-исток D. Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) E. Difference of gate-source voltages F. Difference des tension grille-source			Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока
38. Температурный уход разности напряжений затвор-исток D. Temperaturdrift der Gate-Source- Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) E. Drift of difference of gate-source voltage with temperature F. Variation de la difference des tensions grillesource avec la temperature			Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды
39. Разность активных выходных проводимостей D. Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)			Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора
40. Отношение начальных токов стока D. Drain-Source-Kurzsch (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) E. Ratio of drain currents F. Rapport de courant de drain			Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора
41. Разность токов утечки затвора D. Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)			-
41a. Постоянная рассеиваемая мощность стока D. Drain-Source-Verlustleistung			-
42*. Максимально допустимое напряжение сток-исток D. Maximal Drain-Source-Spannung E. Maximum drain-source-voltage F. Tension maximale drain-source			-
_______________ * Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
43. Максимально допустимое напряжение затвор-исток D. Maximal Gate-Source-Spannung E. Maximum gate-source voltage F. Tension grille-source maximale			-
44. Максимально допустимое напряжение затвор-сток D. Maximal Gate-Drain-Spannung E. Maximum gate-drain voltage F. Tension grille-drain maximale			-
45. Максимально допустимое напряжение сток-подложка D. Maximal Drain-Bulk-Spannung E. Maximum drain-substrate voltage F. Tension maximale drain-substrat			-
46. Максимально допустимое напряжение исток-подложка D. Maximal Source-Bulk-Spannung E. Maximum source-substrate voltage F. Tension maximale source-substrat			-
47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка D. Maximal Gate-Bulk-Spannung E. Maximum gate-substrate voltage F. Tension maximale grille-substrate			-
48. Максимально допустимое напряжение между затворами D. Maximal Spannung zwischen den Gates E. Maximum gate-gate voltage F. Tension maximale grille-grille			-
49. Максимально допустимый постоянный ток стока D. Maximal Drain Gleichstrom E. Maximum drain current F. Courant maximale de drain			-
50. Максимально допустимый прямой ток затвора D. Maximal Gate E. Maximum forward gate current F. Courant directe de grille			-
51. Максимально допустимый импульсный ток стока D. Maximal Drain-Impulsstrom			Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов
52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal Dauerver-lustleistung E. Power dissipation F. Dissipation de puissance			-
53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal Impulsverlustleistung			Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время включения	35
Время включения полевого транзистора	35
Время выключения	36
Время выключения полевого транзистора	36
Время задержки включения	31
Время задержки включения полевого транзистора	31
Время задержки выключения	33
Время задержки выключения полевого транзистора	33
Время нарастания	32
Время нарастания для полевого транзистора	32
Время спада	34
Время спада для полевого транзистора	34
Емкость входная	14
Емкость выходная	15
Емкость затвор-исток	13
Емкость затвор-сток	12
Емкость полевого транзистора входная	14
Емкость полевого транзистора выходная	15
Емкость полевого транзистора проходная	16
Емкость проходная	16
Емкость сток-исток	11
Коэффициент усиления по мощности	30
Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора	30
Коэффициент шума	29
Коэффициент шума полевого транзистора	29
Крутизна характеристики	8
Крутизна характеристики полевого транзистора	8
Крутизна характеристики по подложке	9
Модуль полной проводимости обратной передачи	20
Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора	20
Модуль полной проводимости прямой передачи	22
Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора	22
Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая	53
Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая	52
Мощность стока рассеиваемая постоянная	41а
Напряжение затвор-исток	7б
Напряжение затвор-исток максимально допустимое	43
Напряжение затвора пробивное	7и
Напряжение затвор-исток прямое	7в
Напряжение затвор-исток обратное	7г
Напряжение затвор-подложка	7з
Напряжение затвор-подложка максимально допустимое	47
Напряжение затвор-исток	7д
Напряжение затвор-сток максимально допустимое	44
Напряжение исток-подложка	7е
Напряжение исток-подложка максимально допустимое	46
Напряжение между затворами максимально допустимое	48
Напряжение отсечки	6
Напряжение отсечки полевого транзистора	6
Напряжение полевого транзистора пороговое	7
Напряжение полевого транзистора шумовое	25
Напряжение пороговое	7
Напряжение сток-исток	7а
Напряжение сток-исток максимально допустимое	42
Напряжение сток-подложка	7ж
Напряжение сток-подложка максимально допустимое	45
Напряжение шумовое	25
Отношение начальных токов стока	40
Проводимость входная активная	18
Проводимость входная полная	17
Проводимость выходная активная	24
Проводимость выходная полная	23
Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная	19
Проводимость обратной передачи полная	19
Проводимость полевого транзистора входная полная	17
Проводимость полевого транзистора выходная полная	23
Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная	21
Проводимость прямой передачи полная	21
Разность активных выходных проводимостей	39
Разность напряжений затвор-исток	37
Разность токов утечки затвора	41
Сопротивление полевого транзистора шумовое	28
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии	10а
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	10
Сопротивление шумовое	28
Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная	18
Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная	24
Ток затвора	2д
Ток затвора прямой	2е
Ток затвора прямой максимально допустимый	50
Ток истока	2б
Ток истока начальный	2в
Ток истока остаточный	2г
Ток отсечки затвора	2ж
Ток подложки	5а
Ток полевого транзистора шумовой	27
Ток перехода затвор-исток обратный	4
Ток перехода затвор-сток обратный	5
Ток стока	1а
Ток стока импульсный максимально допустимый	51
Ток стока начальный	1
Ток стока остаточный	2
Ток стока при нагруженном затворе	2а
Ток стока при разомкнутом выводе остаточный	2
Ток стока постоянный максимально допустимый	49
Ток утечки затвора	3
Ток шумовой	27
Уход разности напряжений затвор-исток температурный	38
Э.д.с. шума	26
Электродвижущая сила шума полевого транзистора	26

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit	34
Anstiegszeit	32
	15
	33
Ausschaltzeit	36
Betrag des Kurzschluss-	20
Betrag des Kurzschluss-	22
Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)	39
Drain- Reststrom	2
Drainstrom	1а
Drainstrom Bei Widerstandsabschluss zwischen Source und Gate	2а
Drain-Source	11
Drain-Source-Kurzschlustrom	1
Drain-Source (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)	40
Drain-Source-Spannung	7а
Drain-Source-Verlustleistung	41а
Drain-Source-Widerstand bei Transistor	10
Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor	10а
Drain-Substrat-Spannung	7ж
	14
	31
Einschaltzeit	35
Gate-Drain	12
Gate-Drain-Spannung	7д
Gatedurchlassstrom	2е
Gatereststrom	3
Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)	41
Gatereststrom (Drain offen)	5
Gatereststrom (Source offen)	4
Gate-Source-Durchbruchspannung	7и
Gate-Source-Durchlassspannung	7в
Gate-Source	13
Gate-Source-Spannung	7б
Gate-Source-Spannung	6
Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)	37
Gate-Source-Sperrspannung	7г
Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung	2ж
Gatestrom	2д
Gate-Substrat-Spannung	7з
Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert	23
Kurzschluss-Eingangsscheinleitwert	17
Kurzschluss-	19
Kurzschluss-	21
	30
Maximal Dauerverlustleistung	52
Maximal Drain-Bulk-Spannung	45
Maximal Drain-Source-Spannung	42
Maximal Gate-Bulk-Spannung	47
Maximal Gate-Drain-Spannung	44
Maximal Gate-Source-Spannung	43
Maximal Impulsverlustleistung	53
Maximal Source-Bulk-Spannung	46
Maximal Spannung zwischen den Gates	48
Maximal Drain-Gleichstrom	49
Maximal Drain-Impulsstrom	51
Maximal Gate-Vorwartsstrom	50
Rauschfaktor	29
Rauschspannung	25
Rauschurspannung	26
Rauschstrom	27
Rauschwiderstand	28
Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes	24
Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes	18
	16
Schwellspannung	7
Sourcereststrom	2г
Sourcestrom	2б
Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate	2в
Source-Substrat-Spannung	7е
Substratstrom	5а
Temperaturdrift der Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)	38
	8

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Difference of gate-source voltages	37
Drain current	1а
Drain current at a specified gate-source resistance	2а
Drain current for V=0	1
Drain cut-off current	2
Drain-source capacitance	11
Drain-source off-state resistance	10а
Drain-source on-state resistance	10
Drain-source (d. c.) voltage	7а
Drain-substrate (d. c.) voltage	7ж
Drift of difference of gate-source voltage with temperature	38
Fall time	34
Forward gate current	2е
Forward gate-source (d. c.) voltage	7в
Forward transconductance	8
Gate current	2д
Gate-cut-off current with drain open-circuited	5
Gate-cut-off current with source open-circuited	4
Gate-cut-off current (of a field-effect transistor) with specified drain-source circuit conditions	2ж
Gate-drain capacitance	12
Gate-drain (d. c.) voltage	7д
Gate leakage current	3
Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)	7и
Gate-source capacitance	13
Gate-source cut-off voltage	6
Gate-source threshold voltage	7
Gate-source (d. c.) voltage	7б
Gate-substrate (d. c.) voltage	7з
Input capacitance	14
Maximum drain current	49
Maximum drain-source voltage	42
Maximum drain-substrate voltage	45
Maximum forward gate current	50
Maximum gate-drain voltage	44
Maximum gate-gate voltage	48
Maximum gate-source voltage	43
Maximum gate-substrate voltage	47
Maximum source-substrate voltage	46
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance	22
Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance	20
Noise current	27
Noise figure	29
Noise force electrovelocity	26
Noise resistance	28
Noise voltage	25
Output capacitance	15
Power dissipation	52
Power gain	30
Ratio of drain currents	40
Reverse gate-source (d. c.) voltage	7г
Reverse transfer capacitance	16
Rise time	32
Short-circuit forward transfer admittance	21
Short-circuit input admittance	17
Short-circuit input conductance	18
Short-circuit output admittance	23
Short-circuit output conductance	24
Short-circuit reverse transfer admittance	19
Source current	2б
Source current at a specified gate-drain condition	2г
Source current with gate short-circuited to drain	2в
Source-substrate (d. c.) voltage	7е
Substrate current	5а
Turn-off delay time	33
Turn-on delay time	31
Turn-off time	36
Turn-on time	35

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Admittance , la sortie en court-circuit	17
Admittance de sortie, en court-circuit	23
Admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit	21
Admittance de transfert inverse, en court-circuit	19
	14
de sortie	15
de transfert inverse	16
drain-source	11
grille-drain	12
grille-source	13
Couductance , la sortie en court-circuit	18
Couductance de sortie l'entree en court-circuit	24
Courant de bruit	27
Courant de drain	1а
Courant de drain au blocage	2
Courant de drain pour V=0	1
Courant de drain pour une grille-source	2а
Courant de fuite de drain	3
Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source	2ж
Courant de grille	2д
Courant de source	2б
Courant de source dans des conditions grille-drain	2г
Courant de source la grille au drain	2в
Courant de substrat	5а
Courant directe de grille	2е, 50
Courant maximale de drain	49
Courant de grille	4
Courant de grille le drain etant en circuit ouvert	5
Difference des tension grille-source	37
Dissipation de puissance	52
Facteur de bruit	29
Gain en puissance	30
Module de l'admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit	22
Module de l'admittance de transfert inverse en court-circuit	20
Rapport de courant de drain	40
de bruit	28
drain-source	10а
drain-source passent	10
Retard la croissance	31
Retard	33
Temps de croissance	32
Temps de	34
Temps total de coupure	36
Temps total	35
Tension de bruit	25
Tension de claquage grille-source	7и
Tension de seuil grille-source	7
Tension directe (continue) grille-source	7в
Tension (continue) drain-source	7а
Tension (continue) drain-substrat	7ж
Tension (continue) grille-drain	7д
Tension grille-drain maximale	44
Tension (continue) grille-source	7б
Tension grille-source de blocage	6
Tension grille-source maximale	43
Tension (continue) grille-substrat	7з
Tension inverse (continue) grille-source	7г
Tension maximale drain-source	42
Tension maximale drain-substrat	45
Tension maximale grille-grille	48
Tension maximale grille-substrat	47
Tension maximale source-substrat	46
Tension (continue) source-substrat	7е
Transconductance directe	8
Variation de la difference des tensions grille-source avec la	38