- USD ЦБ 03.12 30.8099 -0.0387
- EUR ЦБ 03.12 41.4824 -0.0244
|
Краснодар:
|
погода |
ГОСТ 25529-82
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Semiconductor diodes.
Terms, definitions and letter symbols
MКC 01.040.31
31.080.10
ОКСТУ 6201
Дата введения 1984-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. N 4482 дата введения установлена 01.01.84
ВЗАМЕН ГОСТ 18216-72, ГОСТ 18994-73, ГОСТ 20004-74, ГОСТ 20005-74, ГОСТ 20331-74, ГОСТ 21154-75
ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1986 г. (ИУС 1-87).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.
Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
В стандарте имеется 2 приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит вольт-амперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы - курсивом.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
(Измененная редакция, Изм. N 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
|
Время восстановления обратного сопротивления |
33 |
|
Время восстановления прямого сопротивления |
34 |
|
Время включения стабилитрона |
86 |
|
Время выключения СВЧ диода |
125 |
|
Время выхода стабилитрона на режим |
88 |
|
Время жизни неравновесных носителей заряда диода эффективное |
30 |
|
Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода |
64 |
|
Время обратного восстановления диода |
33 |
|
Время прямого восстановления диода |
34 |
|
Время спада обратного тока выпрямительного диода |
65 |
|
Время тепловой релаксации СВЧ диода |
111 |
|
Диапазон частот шумового диода |
144 |
|
Добротность СВЧ диода |
129 |
|
Добротность варикапа |
76 |
|
Емкость диода общая |
16 |
|
Емкость диода тепловая |
25 |
|
Емкость корпуса диода |
18 |
|
Емкость перехода диода |
17 |
|
Заряд восстановления диода |
32 |
|
Заряд диода накопленный |
31 |
|
Заряд запаздывания выпрямительного диода |
62 |
|
Заряд переключения |
32 |
|
Заряд спада выпрямительного диода |
63 |
|
Индуктивность диода |
29 |
|
Коэффициент выходной мощности СВЧ диода температурный |
137 |
|
Коэффициент добротности варикапа температурный |
79 |
|
Коэффициент емкости варикапа температурный |
77 |
|
Коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона температурный |
85 |
|
Коэффициент перекрытия по емкости варикапа |
80 |
|
Коэффициент полезного действия СВЧ диода |
131 |
|
Коэффициент спектральной плотности мощности шумового диода температурный |
142 |
|
Коэффициент спектральный плотности напряжения шумового диода температурный |
142 |
|
Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода |
134 |
|
Коэффициент частоты СВЧ диода температурный |
138 |
|
Коэффициент шума смесительного диода нормированный |
133 |
|
КСВН |
134 |
|
Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная импульсная повторяющаяся |
50 |
|
Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная средняя |
48 |
|
Мощность выпрямительного диода рассеиваемая прямая средняя |
47 |
|
Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая |
51 |
|
Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая импульсная |
52 |
|
Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая средняя |
53 |
|
Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая |
54 |
|
Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении импульсная |
55 |
|
Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая средняя |
56 |
|
Мощность детекторного диода граничная |
109 |
|
Мощность диода рассеиваемая импульсная |
15 |
|
Мощность диода рассеиваемая обратная |
13 |
|
Мощность диода рассеиваемая прямая |
12 |
|
Мощность диода рассеиваемая средняя |
14 |
|
Мощность лавинного выпрямительного диода рассеиваемая обратная ударная |
49 |
|
Мощность ограничения СВЧ диода |
107 |
|
Мощность СВЧ диода выходная импульсная |
106 |
|
Мощность СВЧ диода выходная непрерывная |
105 |
|
Мощность СВЧ диода непрерывная рассеиваемая |
102 |
|
Мощность СВЧ диода рассеиваемая импульсная |
103 |
|
Мощность СВЧ диода рассеиваемая средняя |
104 |
|
Мощность сигнала детекторного диода минимально различимая |
110 |
|
Напряжение впадины туннельного диода |
70 |
|
Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное неповторяющееся |
37 |
|
Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное повторяющееся |
36 |
|
Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное рабочее |
35 |
|
Напряжение выпрямительного диода пороговое |
38 |
|
Напряжение диода Ганна пороговое постоянное |
99 |
|
Напряжение диода Ганна рабочее импульсное |
101 |
|
Напряжение диода Ганна рабочее постоянное |
100 |
|
Напряжение диода обратное импульсное |
4 |
|
Напряжение диода обратное постоянное |
3 |
|
Напряжение диода пробивное |
6 |
|
Напряжение диода прямое импульсное |
2 |
|
Напряжение диода прямое постоянное |
1 |
|
Напряжение диода прямое среднее |
45 |
|
Напряжение пика туннельного диода |
69 |
|
Напряжение раствора туннельного диода |
71 |
|
Напряжение стабилизации стабилитрона |
81 |
|
Напряжение шумового диода постоянное |
146 |
|
Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона |
89б |
|
Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона |
89 |
|
Нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона временная |
87 |
|
Неравномерность спектральной плотности мощности шумового диода |
141 |
|
Неравномерность спектральной плотности напряжения шумового диода |
141 |
|
Отношение СВЧ диода шумовое выходное |
132 |
|
Отношение токов туннельного диода |
68 |
|
Плотность мощности шумового диода спектральная |
140 |
|
Плотность напряжения шумового диода спектральная |
139 |
|
Плотность шума стабилитрона спектральная |
90 |
|
Показатель выпрямительного диода защитный |
43 |
|
Полоса частот СВЧ диода |
126 |
|
Постоянная времени СВЧ диода |
124 |
|
Постоянная туннельного диода шумовая |
74 |
|
Потери преобразования смесительного диода |
130 |
|
Проводимость туннельного диода отрицательная |
72 |
|
Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона |
89в |
|
Сопротивление выпрямительного диода динамическое |
61 |
|
Сопротивление детекторного диода на видеочастоте выходное |
123 |
|
Сопротивление диода Ганна |
121 |
|
Сопротивление диода дифференциальное |
19 |
|
Сопротивление диода тепловое импульсное |
22 |
|
Сопротивление диода тепловое переходное |
26 |
|
Сопротивление диода тепловое |
21 |
|
Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности |
120 |
|
Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности |
119 |
|
Сопротивление переход - корпус диода тепловое |
24 |
|
Сопротивление переход - корпус диода тепловое переходное |
28 |
|
Сопротивление переход - окружающая среда диода тепловое |
23 |
|
Сопротивление переход - окружающая среда диода тепловое переходное |
27 |
|
Сопротивление потерь диода последовательное |
20 |
|
Сопротивление потерь переключательного диода обратное |
118 |
|
Сопротивление потерь переключательного диода прямое |
117 |
|
Сопротивление СВЧ диода входное полное |
116 |
|
Сопротивление смесительного диода выходное |
122 |
|
Сопротивление стабилитрона дифференциальное |
84 |
|
Ток впадины туннельного диода |
67 |
|
Ток диода выпрямленный средний |
46 |
|
Ток выпрямительного диода обратный импульсный повторяющийся |
44 |
|
Ток выпрямительного диода обратный средний |
45 |
|
Ток выпрямительного диода прямой действующий |
41 |
|
Ток выпрямительного диода прямой импульсный повторяющийся |
39 |
|
Ток выпрямительного диода прямой ударный |
40 |
|
Ток диода Ганна пороговый |
96 |
|
Ток диода Ганна рабочий импульсный |
98 |
|
Ток диода Ганна рабочий постоянный |
97 |
|
Ток диода обратный импульсный |
11 |
|
Ток диода обратный постоянный |
10 |
|
Ток диода прямой импульсный |
8 |
|
Ток диода прямой постоянный |
7 |
|
Ток диода прямой средний |
9 |
|
Ток ЛПД пусковой импульсный |
95 |
|
Ток ЛПД пусковой постоянный |
94 |
|
Ток ЛПД рабочий импульсный |
93 |
|
Ток ЛПД рабочий постоянный |
92 |
|
Ток перегрузки выпрямительного диода |
42 |
|
Ток СВЧ диода выпрямленный |
91 |
|
Ток стабилизации стабилитрона |
82 |
|
Ток стабилизации стабилитрона импульсный |
83 |
|
Ток туннельного диода пиковый |
66 |
|
Ток шумового диода рабочий постоянный |
145 |
|
Частота варикапа предельная |
78 |
|
Частота переключательного диода критическая |
128 |
|
Частота туннельного диода резистивная предельная |
73 |
|
Частота умножительного диода предельная |
127 |
|
Частота шумового диода граничная |
143 |
|
Чувствительность по напряжению СВЧ диода |
136 |
|
Чувствительность по току СВЧ диода |
135 |
|
Чувствительность СВЧ диода тангенциальная |
108 |
|
Уход напряжения стабилизации стабилитрона температурный |
89а |
|
Энергия выгорания СВЧ диода |
114 |
|
Энергия импульсов туннельного диода |
75 |
|
Энергия обратных потерь выпрямительного диода |
58 |
|
Энергия одиночного импульса СВЧ диода |
112 |
|
Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода |
113 |
|
Энергия потерь выпрямительного диода общая |
59 |
|
Энергия потерь при обратном восстановлении диода |
60 |
|
Энергия прямых потерь выпрямительного диода |
57 |
|
Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода |
115 |
(Измененная редакция, Изм. N 4).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
|
Differentieller Widerstand der Diode |
19 |
|
Durchbruchspannung der Diode |
6 |
|
Durchlasserholungszeit der Diode |
34 |
|
Durchlassgleichspannung der Diode |
1 |
|
Durchlassgleichstrom der Diode |
7 |
|
Durchlassverlustleistung der Diode |
12 |
|
Dynamischer Widerstand der Diode |
61 |
|
Einschaltzeit der Z-Diode |
86 |
|
|
73 |
|
|
18 |
|
|
16 |
|
|
76 |
|
|
78 |
|
|
69 |
|
|
66 |
|
|
68 |
|
Impulsenergie der Tunneldiode |
75 |
|
|
29 |
|
Mittlere Durchlassspannung der Diode |
5 |
|
Mittlere Verlustleistung der Diode |
14 |
|
Mittlerer Durchlassstrom der Diode |
9 |
|
Mittlerer Richtstrom der Diode |
46 |
|
Mittlerer Sperrstrom der Diode |
45 |
|
Negativer Leitwert der Tunneldiode |
72 |
|
Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode |
37 |
|
Nichtperiodischer Spitzendurchlassstrom der Diode |
40 |
|
Periodische Spitzensperrspannung der Diode |
36 |
|
Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode |
39 |
|
Projezierte |
71 |
|
Rauschfaktor der Tunneldiode |
74 |
|
Schleusenspannung der Diode |
38 |
|
Serienwiderstand der Diode |
20 |
|
Sperrerholladung der Diode |
32 |
|
Sperrerholungszeit der Diode |
33 |
|
Sperrgleichspannung der Diode |
3 |
|
Sperrgleichstrom der Diode |
10 |
|
|
17 |
|
Spitzendurchlassspannung der Diode |
2 |
|
Spitzendurchlassstrom der Diode |
8 |
|
Spitzensperrspannung der Diode |
4 |
|
Spitzensperrstrom der Diode |
11 |
|
Spitzenverlustleistung der Diode |
15 |
|
Stabilisierungszeit der Z-Diode |
88 |
|
Talspannung der Tunneldiode |
70 |
|
Talstrom der Tunneldiode |
67 |
|
Temperaturkoeffizient der |
77 |
|
Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode |
85 |
|
Temperaturkoeffizient des |
79 |
|
|
21 |
|
Zeitliche |
87 |
|
Z-Spannung der Z-Diode |
81 |
|
Z-Strom der Z-Diode |
82 |
|
Z-Widerstand der Z-Diode |
84 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
|
Average forward current |
9 |
|
Average forward power dissipation |
47 |
|
Average forward voltage |
5 |
|
Average output rectified current |
46 |
|
Average power dissipation |
14 |
|
Average reverse current |
45 |
|
Average reverse power dissipation |
48 |
|
Average r. f. power |
104 |
|
Average turn-off dissipation |
53 |
|
Average turn-on dissipation |
56 |
|
Breakdown voltage |
6 |
|
Burn-out energy |
114 |
|
Case capacitance |
18 |
|
Clipping power |
107 |
|
Continuous current within the working voltage range |
82 |
|
Conversion loss |
130 |
|
Cut-off frequency |
78 |
|
Differential resistance |
19 |
|
Differential resistance within the working voltage range |
84 |
|
Effective excess minority lifetime |
30 |
|
Forward continuous current |
7 |
|
Forward continuous voltage |
1 |
|
Forward energy loss |
57 |
|
Forward power dissipation |
12 |
|
Forward recovery time |
34 |
|
Junction capacitance |
17 |
|
Negative conductance of the intrinsic diode |
72 |
|
Noise factor |
74 |
|
Non-repetitive (surge) reverse voltage |
37 |
|
Output noise ratio |
132 |
|
Overload forward current |
42 |
|
Peak forward current |
8 |
|
Peak forward voltage |
2 |
|
Peak point current |
66 |
|
Peak point voltage |
69 |
|
Peak power dissipation |
15 |
|
Peak reverse current |
11 |
|
Peak reverse voltage |
4 |
|
Peak to valley point current ratio |
68 |
|
Peak turn-off dissipation |
52 |
|
Peak turn-on dissipation |
55 |
|
Projected peak point voltage |
71 |
|
Pulse r.f. power dissipation |
103 |
|
Quality factor |
76 |
|
Recovered charge |
32 |
|
Repetitive peak forward current |
39 |
|
Repetitive peak reverse current |
44 |
|
Repetitive peak revers power dissipation |
50 |
|
Repetitive peak reverse voltage |
86 |
|
Repetitive pulse energy |
113 |
|
Resistive cut-off frequency |
73 |
|
Reverse continuous current |
10 |
|
Reverse continuous voltage |
3 |
|
Reverse energy loss |
58 |
|
Reverse power dissipation |
13 |
|
Reverse recovery energy loss |
60 |
|
Reverse recovery time |
33 |
|
R.F. c.w.power dissipation |
102 |
|
RMS forward current |
41 |
|
Single pulse energy |
112 |
|
Slope resistance |
61 |
|
Standard overall average noise figure |
133 |
|
Stored charge |
31 |
|
Surge (non-repetitive) reverse power dissipation |
49 |
|
Tangential sensitivity |
108 |
|
Temperature coefficient of capacitance |
77 |
|
Temperature coefficient of quality factor |
79 |
|
Temperature coefficient of working voltage |
85 |
|
Terminal capacitance |
16 |
|
Thermal capacitance |
25 |
|
Thermal resistance |
21 |
|
Thermal resistance junction to case |
24 |
|
Threshold voltage |
38 |
|
Total current sensitivity |
135 |
|
Total energy loss |
59 |
|
Total instantaneous turn-off dissipation |
51 |
|
Total instantaneous turn-on dissipation |
54 |
|
Total series equivalent inductance |
29 |
|
Total series equivalent resistance |
20 |
|
Transient thermal impedance |
26 |
|
Transient thermal impedance junction to ambient |
27 |
|
Transient thermal impedance junction to case |
28 |
|
Transient time of working voltage |
88 |
|
Turn-on time |
86 |
|
Valley point current |
67 |
|
Valley point voltage |
70 |
|
Voltage standing wave ratio |
134 |
|
V.S.W.R. |
134 |
|
Working peak reverse voltage |
35 |
|
Working voltage long-term instability |
87 |
|
Working voltage (of voltage regulator diode) |
81 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
|
|
16 |
|
|
17 |
|
Charge |
32 |
|
Charge |
31 |
|
Coefficient de |
85 |
|
Conductance |
72 |
|
Courant continu inverse pour la gamme des tensions de |
82 |
|
Courant de pic |
66 |
|
Courant de |
67 |
|
Courant direct continu |
7 |
|
Courant direct de |
8 |
|
Courant direct de pointe |
39 |
|
Courant direct de surcharge accidentel |
40 |
|
Courant direct de surcharge |
42 |
|
Courant direct moyen |
9 |
|
Courant inverse continu |
10 |
|
Courant inverse de |
11 |
|
Courant inverse de pointe |
44 |
|
Courant inverse moyen |
45 |
|
Courant moyen dc sortie |
46 |
|
Dissipation totale |
51 |
|
Dissipation de pointe |
52 |
|
Dissipation de pointe |
55 |
|
Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R.F. |
103 |
|
Dissipation de puissance dans le cas d'une onde R.F.entretenue |
102 |
|
Dissipation de puissance en direct |
12 |
|
Dissipation de puissance en inverse |
13 |
|
Dissipation moyenne |
53 |
|
Dissipation moyenne |
56 |
|
Dissipation totale |
54 |
|
Dissipation totale |
51 |
|
Energie de claquage |
114 |
|
Energie d'une impulsion |
112 |
|
Energie d'une impulsion |
113 |
|
Facteur de bruit |
74 |
|
Facteur de bruit total moyen normal |
133 |
|
|
78 |
|
|
73 |
|
Inductance |
29 |
|
|
87 |
|
Perte de conversion |
130 |
|
Puissance R. F. moyenne |
104 |
|
Rapport de |
68 |
|
Rapport de |
132 |
|
|
61 |
|
|
19 |
|
|
84 |
|
|
20 |
|
|
21 |
|
|
135 |
|
Taux d'ondes stationnaires |
|
|
T.O.S.(R.O.S.) |
134 |
|
Temps de recouvrement direct |
34 |
|
Temps dc recouvrement inverse |
33 |
|
Tension de claquage |
6 |
|
Tension de pic |
69 |
|
Tension directe continue |
1 |
|
Tension de |
81 |
|
Tension de seuil |
38 |
|
Tension de |
70 |
|
Tension directe de |
2 |
|
Tension directe moyenne |
5 |
|
Tension inverse continue |
3 |
|
Tension inverse de |
4 |
|
Tension inverse de pointe non- |
37 |
|
Tension inverse de pointe |
36 |
|
Tension isohypse |
71 |
________________
* Текст соответствует оригиналу. - Примечание .
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ОБЩИХ ПОНЯТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | ||
|
русское |
междуна- родное |
|||
|
1. |
Прямое напряжение диода |
- |
- |
Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током |
|
2. |
Обратное напряжение диода |
- |
- |
Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении |
|
3. |
Прямой ток диода |
- |
- |
Ток, протекающий через диод в прямом направлении |
|
4. |
Обратный ток диода |
- |
- |
Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением |
|
5. |
Предельно допустимое значение параметра полупроводникового прибора |
- |
- |
Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность. |
|
6. |
Нестабильность параметра полупроводникового прибора |
- |
- |
Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов |
|
7. |
Эффективная температура перехода полупроводникового прибора |
- |
- |
Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе |
|
8. |
Температура в контрольной точке полупроводникового прибора |
|
|
Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора |
|
9. |
Температура корпуса полупроводникового прибора |
|
|
Температура в заданной контрольной точке на (в) корпусе полупроводникового прибора |
|
10. |
Температура окружающей среды |
|
|
Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводникового прибора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей, излучающих тепло |
|
11. |
Температура охлаждающей среды |
|
|
Температура в заданной контрольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя |
|
12. |
Температура хранения |
|
|
- |
|
13. |
Показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора |
- |
- |
Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле
|
_________________
* Формула и экспликация к ней соответствуют оригиналу. - Примечание .
Вольт-амперные характеристики.
Диаграммы токов и напряжений диодов

1 - прямая вольт-амперная характеристика; 2 - обратная вольт-амперная характеристика;
3 - область пробоя; 4 - прямолинейная аппроксимация прямой вольт-амперной характеристики;
- пороговое напряжение;
- динамическое сопротивление;
- пробное напряжение
Черт.1
Вольт-амперная характеристика туннельного диода

- пиковый ток;
- ток впадины;
- напряжение впадины;
- напряжение пика;
- напряжение раствора
Черт.2
Вольт-амперная характеристика диода Ганна

- постоянное пороговое напряжение диода Ганна,
- пороговый ток диода Ганна;
- постоянное рабочее напряжение диода Ганна;
- постоянный рабочий ток диода Ганна
Черт.4
Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода

- параллельная емкость;
- отрицательная проводимость;
- сопротивление потерь;
- последовательная индуктивность;
- емкость перехода
Черт.7
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. (Исключено, Изм. N 1).
Текст документа сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения.
Часть 3: Сб. стандартов. -
М.: Стандартинформ, 2005