Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта

ГОСТ 13699-91

Вводная часть

ГОСТ 15971-90

1

ГОСТ 19480-89

Вводная часть

Термин

Определение

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1. Запоминающее устройство ЗУ

Storage unit

По ГОСТ 15971

2. Запоминающий элемент

Storage element

Часть запоминающего устройства, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных

3. Ячейка запоминающего устройства

Ячейка ЗУ

Storage cell

Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти

4. Содержимое запоминающего устройства

Storage content

Данные, хранящиеся в запоминающем устройстве

ВИДЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

5. Оперативное запоминающее устройство

ОЗУ

Random access memory

RAM

Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций

6. Постоянное запоминающее устройство

ПЗУ

Read-only memory

ROM

Запоминающее устройство, из которого может производиться только считывание данных

7. Программируемое постоянное запоминающее устройство

ППЗУ

Programmed read-only memory

PROM

Постоянное запоминающее устройство, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного или светового воздействия на запоминающие элементы по заданной программе

8. Внешнее запоминающее устройство

ВЗУ

External storage

Запоминающее устройство, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения большого объема данных

9. Запоминающее устройство на магнитных сердечниках

ЗУМС

Magnetic core film memory

-

10. Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках

ЗУМП

Magnetic thin film memory

Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку

11. Индуктивное запоминающее устройство

Inductor memory

Запоминающее устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды

12. Оптоэлектронное запоминающее устройство

Optoelectronic memory

Запоминающее устройство, в котором используются свойства светового луча изменять физические соcтояния запоминающей среды

13. Криогенное запоминающее устройство

Cryogenic memory

Запоминающее устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких температурах

14. Полупроводниковое запоминающее устройство

Semiconductor memory

Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой являются полупроводниковые элементы

15. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках

ЗУЦМП

Plated wire memory

Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкая магнитная пленка, нанесенная на поверхность проволоки

16. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах

Magnetic domain device

Запоминающее устройство, в котором запоминающими элементами являются цилиндрические магнитные домены в пластинах ортоферритов

17. Конденсаторное запоминающее устройство

Capacitor memory

Запоминающее устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды

18. Статическое запоминающее устройство

Static memory

Запоминающее устройство без регенерации данных при хранении

19. Динамическое запоминающее устройство

Dynamic memory

Запоминающее устройство с регенерацией данных при хранении

20. Энергонезависимое запоминающее устройство

Nonvolatile memory

Запоминающее устройство, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании

21. Энергозависимое запоминающее устройство

Volatile memory

Запоминающее устройство, содержимое которого не сохраняется при отключенном электропитании

СПОСОБЫ ДОСТУПА К ДАННЫМ, ЗАПИСАННЫМ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ

22. Произвольный доступ к данным

Random access

Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в любой последовательности

23. Последовательный доступ к данным

Sequential access

Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в определенной последовательности

24. Ассоциативный доступ к данным

Associative access

Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в соответствии с признаками хранимых в них данных

25. Системный доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках

Core (ferrite) memory organization

Способ доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или адресно-разрядных токов.

     Примечание. Различают системы 2Д, 2Д, 3Д

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

26. Информационная емкость запоминающего устройства

Емкость

Capacity

Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве

27. Цикл обращения к запоминающему устройству

Access cycle

Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства

28. Время выборки данных

Access time

Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства

29. Время хранения данных

Storage time

Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации

30. Скорость передачи данных из (в) запоминающего(ее) устройства(о)

Data transfer speed

Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

31. Запись данных

Write

Режим работы запоминающего устройства, в процессе
которого осуществляется занесение данных в запоминающее устройство

32. Считывание данных

Read

Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется получение данных из запоминающего устройства

33. Считывание данных с разрушением

Destructive read

Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, вызывающее их стирание

34. Считывание данных без разрушения

Non-destructive read

NDR

Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, не вызывающее их стирание

35. Регенерация данных

Refresh

Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется перезапись хранящихся данных с целью их сохранения

36. Хранение данных

Holding

Режим работы запоминающего устройства после записи или регенерации данных, обеспечивающий возможность их последующего считывания в произвольный момент времени

ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

37. Узел выборки адреса

Adress unit

Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для реализации доступа к запоминающей ячейке путем преобразования кода адреса в соответствующие ему сигналы на входе запоминающего узла

38. Запоминающий узел

Memory unit

Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для непосредственного хранения данных

39. Узел считывания данных

Sensing unit

Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования локальных физических состояний запоминающей среды в электрические сигналы

40. Узел записи данных

Writing unit

Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования электрических сигналов в локальные физические состояния запоминающей среды

ТЕСТЫ КОНТРОЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

41. Статический тест контроля запоминающего устройства

Static test

Режим проверки запоминающего устройства, при котором первоначально записанные данные не меняются

42. Тест "Тяжелый код" контроля запоминающего устройства

Статический тест контроля запоминающего устройства, позволяющий получить максимальный сигнал помехи считанного нуля

43. Динамический тест контроля запоминающего устройства

Dynamic test

Режим проверки запоминающего устройства, при котором записываемые данные с каждым циклом обращения меняются

44. Тест "Дождь" контроля запоминающего устройства

Динамический тест контроля запоминающего устройства, в котором записываемая информация определяется состоянием двоичного счетчика считанных единиц

ВЗУ

8

Время выборки данных

28

Время хранения данных

29

Доступ к данным ассоциативный

24

Доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках системный

25

Доступ к данным последовательный

23

Доступ к данным произвольный

22

Емкость

26

Емкость запоминающего устройства информационная

26

Запись данных

31

ЗУ

1

ЗУМП

10

ЗУМС

9

ЗУЦМП

15

ОЗУ

5

ПЗУ

6

ППЗУ

7

Регенерация данных

35

Скорость передачи данных из (в) запоминающего(ее) устройства(о)

30

Скорость передачи данных из запоминающего устройства

30

Содержимое запоминающего устройства

4

Считывание данных

32

Считывание данных без разрушения

34

Считывание данных с разрушением

33

Тест "Дождь" контроля запоминающего устройства

44

Тест контроля запоминающего устройства динамический

43

Тест контроля запоминающего устройства статический

41

Тест "Тяжелый код" контроля запоминающего устройства

42

Узел выборки адреса

37

Узел записи данных

40

Узел запоминающий

38

Узел считывания данных

39

Устройство запоминающее

1

Устройство запоминающее внешнее

8

Устройство запоминающее динамическое

19

Устройство запоминающее индуктивное

11

Устройство запоминающее конденсаторное

17

Устройство запоминающее криогенное

13

Устройство запоминающее оперативное

5

Устройство запоминающее оптоэлектронное

12

Устройство запоминающее полупроводниковое

14

Устройство запоминающее постоянное

6

Устройство запоминающее постоянное программируемое

7

Устройство запоминающее статическое

18

Устройство запоминающее энергозависимое

21

Устройство запоминающее энергонезависимое

20

Устройство на магнитных сердечниках запоминающее

9

Устройство на тонких магнитных пленках запоминающее

10

Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее

16

Устройство на цилиндрических магнитных пленках запоминающее

15

Хранение данных

36

Цикл обращения к запоминающему устройству

27

Элемент запоминающий

2

Ячейка запоминающего устройства

3

Ячейка ЗУ

3

Access cycle

27

Access time

28

Adress unit

37

Associative access

24

Capacitor memory

17

Capacity

26

Core (ferrite) memory organization

25

Cryogenic memory

13

Data transfer speed

30

Destructive read

33

Dynamic memory

19

Dynamic test

43

External storage

8

Holding

36

Inductor memory

11

Magnetic core memory

9

Magnetic domain device

16

Magnetic thin film memory

10

Memory unit

38

NDR

34

Non-destructive read

34

Nonvolatile memory

20

Optoelectronic memory

12

Plated wire memory

15

Programmed read-only memory

7

PROM

7

RAM

5

Random access

22

Random access memory

5

Read

32

Read-only memory

6

Refresh

35

ROM

6

Semiconductor memory

14

Sensing unit

39

Sequential access

23

Static memory

18

Static test

41

Storage cell

3

Storage content

4

Storage element

2

Storage time

29

Storage unit

1

Volatile memory

21

Write

31

Writing unit

40