- USD ЦБ 03.12 30.8099 -0.0387
- EUR ЦБ 03.12 41.4824 -0.0244
|
Краснодар:
|
погода |
ГОСТ 28111-89
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСБОРКИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
Термины и определения
Bubble memory device. Terms and definitions
MКC 01.040.31
31.200
ОКСТУ 6301
Дата введения 1990-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ
Э.С.Зиборов (руководитель темы); В.Н.Зубков; Г.Д.Пучкова; В.П.Сушков; Н.П.Самров; Э.И.Багдасарьянц; В.Г.Таширов; П.И.Набокин
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 N 1058
3. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
4. Срок первой проверки - 1994 г.
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
|
Обозначение НТД, на который дана ссылка |
Номер пункта |
|
ГОСТ 19693-74 |
Вводная часть |
|
1 |
6. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на цилиндрических магнитных доменах.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Настоящий стандарт должен применяться совместно с ГОСТ 19693.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 приведены в качестве справочных буквенные обозначения к ряду терминов.
2.5. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл.2-3.
4. Термины и определения общих понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
|
Термин |
Определение |
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ | |
|
1. Магнитоэлектронное изделие на цилиндрических магнитных доменах |
Магнитоэлектронное изделие, в котором для хранения и обработки информации используются цилиндрические магнитные домены |
|
2. Цилиндрический магнитный домен |
Домен цилиндрической формы, намагниченность которого параллельна и противоположна направлению намагниченности окружающего магнитного материала |
|
3. Жесткий цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, имеющий сложную структуру доменной границы и большую поверхностную плотность энергии границы, более высокое поле коллапса и меньшую подвижность |
|
4. Несквозной цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, доменная граница которого выходит только на одну из поверхностей магнитного слоя или не выходит ни на одну из поверхностей |
|
5. Информационный цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, используемый как носитель информации |
|
6. Неинформационный цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, не используемый как носитель информации |
|
7. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах |
По ГОСТ 25492 |
|
8. Микросборка на цилиндрических магнитных доменах |
Конструктивно законченные и неремонтируемые магнитоэлектронные изделия на ЦМД или его составная часть, определяющая назначение и принципы функционирования изделия |
|
9. ЦМД-накопитель |
Микросборка ЦМД или совокупность микросборок ЦМД и электронное обрамление, обеспечивающие информационную емкость запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах |
|
10. ЦМД-сигнал |
Двоичный сигнал, представленный наличием или отсутствием цилиндрического магнитного домена |
|
11. ЦМД-материал |
Магнитоодноосный материал, в котором существуют цилиндрические магнитные домены |
|
12. ЦМД-пластина |
Пластина из ЦМД-материала или пластина, состоящая из немагнитной подложки с выращенным на ней ЦМД-материалом |
|
13. Монокристаллическая пленка феррита-граната |
ЦМД-материал в виде слоя монокристаллического феррита со структурой граната |
|
14. Дефект МПФГ |
Дефект поверхности или магнитный дефект монокристаллической пленки феррита-граната |
|
15. Дефект поверхности МПФГ |
Неоднородность поверхности монокристаллической пленки феррита-граната, видимая в оптический микроскоп при заданных увеличении и апертуре объектива, кроме частиц на поверхности |
|
16. Магнитный дефект МПФГ |
Область локального изменения свойств монокристаллической пленки феррита-граната, вызванного неоднородностью ее структуры, характеризующаяся локальным увеличением коэрцитивной силы или несанкционированными зарождением, уничтожением или изменением скорости движения ЦМД |
|
17. Подложка МПФГ |
Немагнитная пластина, на которой выращивается монокристаллическая пленка феррита-граната |
|
18. Решетка ЦМД |
Упорядоченная совокупность ЦМД в виде правильной плоской решетки |
|
19. Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая зарождению цилиндрического магнитного домена |
|
20. Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая исчезновению цилиндрического магнитного домена |
|
21. Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая переходу цилиндрического магнитного домена в полосовой домен |
|
ПАРАМЕТРЫ ЦМД-МАТЕРИАЛА | |
|
22. Характеристическая длина ЦМД-материала |
Отношение поверхностной плотности энергии доменной границы к объемной плотности магнитостатической энергии ЦМД-материала |
|
23. Фактор качества ЦМД-материала |
Отношение напряженности поля одноосной магнитной анизотропии ЦМД-материала к намагниченности технического насыщения |
|
24. Динамическая коэрцитивная сила |
Параметр, равный критическому значению |
|
25. Скорость насыщения доменной границы |
Скорость доменной границы, существенно не изменяющаяся при увеличении напряженности продвигающего доменную границу поля |
|
26. Область устойчивости ЦМД |
Параметр, равный разности напряженностей магнитного поля коллапса ЦМД и магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
|
27. Равновесная ширина полосового домена |
Средняя ширина полосового домена, соответствующая абсолютному минимуму энергии размагниченной монокристаллической пленки феррита-граната |
|
28. Угол отклонение оси легкого намагничивания МПФГ |
Угол между осью легкого намагничивания и нормалью к поверхности монокристаллической пленки феррита-граната |
|
29. Номинальный диаметр ЦМД |
Диаметр цилиндрического магнитного домена в середине области устойчивости ЦМД |
|
30. Толщина МПФГ |
- |
|
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
|
31. ЦМД-кристалл |
Часть ЦМД-пластины с нанесенной на нее схемой управления цилиндрическими магнитными доменами |
|
32. Плата микросборки ЦМД |
Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для закрепления одного или нескольких ЦМД-кристаллов и соединения их с выводами микросборки ЦМД |
|
33. Корпус микросборки ЦМД |
Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для защиты от внешнего воздействия, экранирования от внешних магнитных полей и замыкания магнитного поля смещения микросборки ЦМД |
|
34. Система постоянных магнитов микросборки ЦМД |
Часть конструкции микросборки ЦМД, являющаяся источником поля смещения |
|
35. Растекатель микросборки ЦМД |
Часть системы постоянных магнитов микросборки ЦМД, выполненная из магнитомягкого материала, предназначенная для повышения однородности поля смещения |
|
36. Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
Система катушек микросборки ЦМД, при пропускании через которые токов заданной формы осуществляется продвижение цилиндрических магнитных доменов |
|
37. Вывод микросборки ЦМД |
Элемент конструкции микросборки ЦМД, предназначенный для ее электрического соединения с внешними электрическими цепями и механического крепления |
|
38. Контактная площадка ЦМД-кристалла |
Металлизированный участок на ЦМД-кристалле, служащий для присоединения выводов ЦМД-кристалла, а также для контроля исправности его электрических цепей |
|
39. Вывод ЦМД-кристалла |
Элемент конструкции микросборки ЦМД, соединенный с контактной площадкой ЦМД-кристалла и предназначенный для электрического соединения ЦМД-кристалла и платы микросборки ЦМД |
|
40. Ферромагнитная аппликация |
Пленочная аппликация из ферромагнитного материала, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки. |
|
41. Токовая аппликация |
Пленочная проводниковая аппликация, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки |
|
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
|
42. Схема управления ЦМД |
Совокупность аппликаций или локальных изменений структуры ЦМД-материала или их комбинированная совокупность, служащие для осуществления функциональных операций с цилиндрическими магнитными доменами при воздействии полей и токов |
|
43. Функциональный узел ЦМД-кристалла |
Часть схемы управления ЦМД, предназначенная для реализации определенной функции |
|
44. Схема продвижения ЦМД |
Часть схемы управления ЦМД, определяющая траекторию продвижения цилиндрического магнитного домена |
|
45. Элемент продвижения ЦМД |
Токовая аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для перемещения цилиндрических магнитных доменов по схеме продвижения |
|
46. Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД |
Аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для соединения прямолинейных участков схемы продвижения цилиндрических магнитных доменов при изменении их направления продвижения |
|
47. Магнитостатическая ловушка |
Локализованная зона ЦМД-кристалла с меньшим значением напряженности магнитного поля смещения, вызванная существованием магнитных полей, параллельных и противоположно направленных полю смещения, и служащая для удержания цилиндрических магнитных доменов |
|
48. Генератор ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для зарождения цилиндрических магнитных доменов |
|
49. Узел считывания микросборки ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий подготовку ЦМД-сигнала к регистрации и преобразование его в электрический выходной сигнал микросборки ЦМД |
|
50. Детектор ЦМД |
Часть узла считывания микросборки ЦМД, предназначенная для формирования выходного сигнала микросборки ЦМД |
|
51. Рабочий детектор ЦМД |
Часть детектора ЦМД, предназначенная для выделения ЦМД-сигнала и преобразования его в электрический сигнал |
|
52. Компенсационный детектор ЦМД |
Часть детектора ЦМД, предназначенная для компенсации электрического сигнала, наводимого в рабочем детекторе ЦМД вращающимся магнитным полем |
|
53. Расширитель ЦМД |
Часть узла считывания микросборки ЦМД, осуществляющая растягивание цилиндрического магнитного домена в полосовой домен с целью увеличения выходного сигнала микросборки ЦМД |
|
54. Аннигилятор ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для уничтожения цилиндрических магнитных доменов |
|
55. Регистр хранения информации микросборки ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для накопления и хранения цилиндрических магнитных доменов |
|
56. Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для связи элементов управления цилиндрическими магнитными доменами с регистрами хранения информации при записи и считывании информации |
|
57. Регистр ввода информации микросборки ЦМД |
Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации от генератора ЦМД в регистры хранения информации микросборки ЦМД |
|
58. Регистр вывода информации микросборки ЦМД |
Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации из регистров хранения к узлу считывания микросборки ЦМД |
|
59. Репликатор ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для деления цилиндрического магнитного домена на два, а также для ввода цилиндрического магнитного домена в регистр хранения и вывода из него |
|
60. Переключатель ввода-вывода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для ввода информации в виде наличия или отсутствия цилиндрического магнитного домена в регистры хранения информации микросборки ЦМД и вывода информации из них |
|
61. Переключатель вывода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для вывода информации из регистров хранения в регистр вывода или регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
|
62. Переключатель ввода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для перевода информации из регистра ввода или регистра ввода-вывода в регистр хранения информации микросборки ЦМД |
|
63. Обменный переключатель ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для обмена информацией между регистром хранения и регистром ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
|
64. Реверсивный переключатель ввода-вывода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий функции переключателя ввода или переключателя вывода ЦМД при изменении направления вращающегося магнитного поля |
|
65. Защитный массив ЦМД-кристалла |
Совокупность ферромагнитных аппликаций и (или) локальных изменений структуры ЦМД-кристалла, охватывающих рабочую зону ЦМД-кристалла для ее экранирования и вывода неинформационных ЦМД |
|
ОРГАНИЗАЦИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД | |
|
66. Последовательная структура микросборки ЦМД |
Организация микросборки ЦМД в виде одного автономного регистра хранения информации микросборки ЦМД |
|
67. Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД |
Организация микросборки ЦМД в виде совокупности регистров хранения информации микросборки ЦМД, объединенных регистром или регистрами ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
|
68. Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены одним замкнутым регистром ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
|
69. Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
|
70. Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации микросборки ЦМД |
|
71. Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой совокупность регистров хранения информации микросборки ЦМД разделена на определенное число блоков |
|
ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
|
72. Вращающееся магнитное поле микросборки ЦМД |
Магнитное поле, вектор напряженности которого вращается в плоскости ЦМД-кристалла, служащее для продвижения цилиндрических магнитных доменов |
|
73. Магнитное поле смещения микросборки ЦМД |
Постоянное магнитное поле, создаваемое системой постоянных магнитов микросборки ЦМД, перпендикулярное к плоскости ЦМД-кристалла |
|
74. Поле управления ЦМД |
Переменное магнитное поле, возникающее в ЦМД-кристалле при подаче импульсов тока в элементы управления и осуществляющее функциональные операции с цилиндрическими магнитными доменами при наличии вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
|
75. Страница данных микросборки ЦМД |
Последовательность информационных ЦМД, определяемая количеством регистров хранения информации микросборки ЦМД и выводимая из регистров хранения в одном такте вращающегося магнитного поля |
|
76. Дефектный регистр хранения информации микросборки ЦМД |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД, имеющий технологический дефект и неспособный накапливать и хранить цилиндрические магнитные домены |
|
77. Резервные регистры хранения информации микросборки ЦМД |
Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, за счет которых обеспечивается, при наличии дефектных регистров, номинальная информационная емкость микросборки ЦМД |
|
78. Служебные регистры хранения информации микросборки ЦМД |
Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, используемые по усмотрению потребителя для обнаружения и исправления ошибок и хранения карты дефектных регистров |
|
79. Карта дефектных регистров хранения информации |
Перечень номеров дефектных регистров хранения информации микросборки ЦМД |
|
80. Режим "старт-стоп" микросборки ЦМД |
Режим работы и контроля микросборки ЦМД, при котором вращающееся магнитное поле останавливается в определенной фазе, с которой в дальнейшем оно возобновляется. |
|
81. Удерживающее поле микросборки ЦМД |
Проекция поля смещения в плоскости ЦМД-кристалла, получаемая наклоном ЦМД-кристалла к плоскости постоянных магнитов и служащая для сохранения информации при отключении питания микросборки ЦМД |
|
ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ РАБОТУ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
|
82. Электронное обрамление ЗУ на ЦМД |
Система функциональных электронных блоков, обеспечивающая функционирование микросборок ЦМД и ЦМД-накопителей и их совместимость с внешними устройствами |
|
83. Линейное обрамление ЦМД-накопителя |
Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая формирование токов управления функциональными узлами ЦМД-кристалла и усиление выходных сигналов микросборки ЦМД |
|
84. Контроллер ЗУ на ЦМД |
Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая заданные режимы работы запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах и организацию связи с интерфейсом внешних систем |
|
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД | |
|
85. Одноуровневое исполнение ЦМД-кристалла |
Исполнение ЦМД-кристалла, при котором функциональные узлы и коммутационную разводку изготавливают из пермаллоевого слоя на одном уровне |
|
86. Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла |
- |
|
87. Планарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором все магнитопленочные элементы располагаются в одном уровне |
|
88. Непланарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором часть магнитопленочных элементов приподнята над токовыми элементами управления |
|
89. Квазипланарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое построение ЦМД-кристалла, при котором геометрический рельеф топологического элемента сглаживается диэлектрическим слоем более чем на половину толщины элемента |
|
ПАРАМЕТРЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
|
90. Время считывания страницы данных микросборки ЦМД |
Интервал времени, в течение которого все цилиндрические магнитные домены страницы данных проходят через детектор ЦМД |
|
91. Выходное напряжение высокого уровня микросборки ЦМД |
Значение напряжения высокого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
|
92. Выходное напряжение низкого уровня микросборки ЦМД |
Значение напряжения низкого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
|
93. Среднее время выборки микросборки ЦМД |
Время выборки первого бита средней страницы данных микросборки ЦМД |
|
94. Период вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
Интервал времени, за который вектор вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД делает поворот на 360° |
|
95. Рабочая частота микросборки ЦМД |
Частота вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
|
96. Потребляемая мощность микросборки ЦМД |
Средняя мощность, потребляемая микросборкой ЦМД при наиболее характерном режиме обращения к микросборке ЦМД |
|
97. Область устойчивой работы микросборки ЦМД |
Совокупность значений параметров микросборки ЦМД в допустимых пределах их изменений, обеспечивающая функционирование микросборки ЦМД |
|
98. Рабочий диапазон температур микросборки ЦМД |
Диапазон температур окружающей среды или на корпусе микросборки ЦМД, при котором обеспечиваются требуемые характеристики микросборки ЦМД |
|
99. Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД |
Диапазон температур, пребывание в котором микросборки ЦМД с записанной информацией и отключенным питанием не вызывает потерь информации |
|
ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЙ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
|
100. Ток управления микросборки ЦМД |
Амплитуда импульса тока, проходящего через катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
|
101. Ток генератора ЦМД |
Амплитуда импульса тока генератора ЦМД при зарождении цилиндрического магнитного домена |
|
102. Ток переключателя ввода ЦМД |
Амплитуда импульса тока переключателя ввода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистра ввода в регистр хранения |
|
103. Ток переключателя вывода ЦМД |
Амплитуда импульса тока переключателя вывода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистров хранения в регистр вывода |
|
104. Ток обменного переключателя ЦМД |
Амплитуда импульса тока обменного переключателя ЦМД при одновременном переводе цилиндрического магнитного домена из регистра ввода-вывода в регистры хранения и из регистров хранения в регистр ввода-вывода |
|
105. Ток репликатора ЦМД |
Амплитуда импульса тока репликатора ЦМД при делении цилиндрического магнитного домена с последующим выводом информации |
|
106. Ток детектора ЦМД |
Амплитуда импульса тока, проходящего через детектор ЦМД при считывании ЦМД-сигнала, представленного наличием цилиндрического магнитного домена |
|
107. Длительность импульса тока генератора ЦМД |
- |
|
108. Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД |
- |
|
109. Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД |
- |
|
110. Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД |
- |
|
111. Длительность импульса тока репликатора ЦМД |
- |
|
112. Время задержки импульса тока генератора ЦМД |
- |
|
113. Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД |
- |
|
114. Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД |
- |
|
115. Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД |
- |
|
116. Время задержки импульса тока репликатора ЦМД |
- |
|
117. Сопротивление генератора ЦМД |
- |
|
118. Сопротивление переключателя ввода ЦМД |
- |
|
119. Сопротивление переключателя вывода ЦМД |
- |
|
120. Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД |
- |
|
121. Сопротивление обменного переключателя ЦМД |
- |
|
122. Сопротивление детектора ЦМД |
- |
|
123. Разность сопротивлений детекторов ЦМД |
Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов ЦМД |
|
124. Сопротивление катушек вращающегося поля микросборки ЦМД |
- |
|
125. Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
- |
|
126. Фазовый сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД |
- |
|
127. Чувствительность детектора ЦМД |
Отношение выходного напряжения высокого уровня микросборки ЦМД к току детектора ЦМД |
__________________
* Длительность импульсов токов определяют на уровне 0,5 максимальной амплитуды.
** Время задержки импульсов токов отсчитывают от начала положительной полуволны тока катушки вращающегося магнитного поля.
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
|
Термин |
Номер термина |
|
Аннигилятор |
54 |
|
Аннигилятор ЦМД |
54 |
|
Аппликация токовая |
41 |
|
Аппликация ферромагнитная |
40 |
|
Время выборки среднее |
93 |
|
Время выборки микросборки ЦМД среднее |
93 |
|
Время задержки импульса тока ввода |
113 |
|
Время задержки импульса тока вывода |
114 |
|
Время задержки импульса тока генератора |
112 |
|
Время задержки импульса тока генератора микросборки ЦМД |
112 |
|
Время задержки импульса тока обменного переключателя |
115 |
|
Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД |
115 |
|
Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД |
113 |
|
Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД |
114 |
|
Время задержки импульса тока репликатора |
116 |
|
Время задержки импульса тока репликатора ЦМД |
116 |
|
Время задержки импульса тока репликации |
116 |
|
Время считывания страницы |
90 |
|
Время считывания страницы данных микросборки ЦМД |
90 |
|
Вывод микросборки ЦМД |
37 |
|
Вывод ЦМД-кристалла |
39 |
|
Генератор ЦМД |
48 |
|
Детектор ЦМД |
50 |
|
Детектор ЦМД компенсационный |
52 |
|
Детектор ЦМД рабочий |
51 |
|
Дефект МПФГ |
14 |
|
Дефект МПФГ магнитный |
16 |
|
Дефект поверхности МПФГ |
15 |
|
Диаметр ЦМД номинальный |
29 |
|
Диапазон температур микросборки ЦМД рабочий |
98 |
|
Диапазон температур рабочий |
98 |
|
Диапазон температур хранения информации |
99 |
|
Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД |
99 |
|
Длина ЦМД-материала характеристическая |
22 |
|
Длительность импульса тока генератора |
106 |
|
Длительность импульса тока генератора ЦМД |
106 |
|
Длительность импульса тока ввода |
108 |
|
Длительность импульса тока вывода |
109 |
|
Длительность импульса тока обмена информации |
110 |
|
Длительность импульса тока обменного переключателя |
110 |
|
Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД |
110 |
|
Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД |
108 |
|
Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД |
109 |
|
Длительность импульса тока репликатора |
111 |
|
Длительность импульса тока репликатора ЦМД |
111 |
|
Домен магнитный цилиндрический |
2 |
|
Домен магнитный цилиндрический жесткий |
3 |
|
Домен магнитный цилиндрический информационный |
5 |
|
Домен магнитный цилиндрический неинформационный |
6 |
|
Домен магнитный цилиндрический несквозной |
4 |
|
ЗУ на ЦМД |
7 |
|
Изделие на цилиндрических магнитных доменах магнитоэлектронное |
1 |
|
Изделие на ЦМД магнитоэлектронное |
1 |
|
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля |
125 |
|
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
125 |
|
Индуктивность узла управления |
125 |
|
Исполнение ЦМД-кристалла квазипланарное |
89 |
|
Исполнение ЦМД-кристалла многоуровневое |
86 |
|
Исполнение ЦМД-кристалла непланарное |
88 |
|
Исполнение ЦМД-кристалла одноуровневое |
85 |
|
Исполнение ЦМД-кристалла планарное |
87 |
|
Канал продвижения |
44 |
|
Карта дефектных регистров |
79 |
|
Карта дефектных регистров хранения информации |
79 |
|
Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
36 |
|
Катушки вращающегося поля |
36 |
|
Катушки управления |
36 |
|
Контроллер ЗУ на ЦМД |
84 |
|
Контроллер |
84 |
|
Корпус |
33 |
|
Корпус микросборки ЦМД |
33 |
|
Ловушка магнитостатическая |
47 |
|
Массив защитный |
65 |
|
Массив ЦМД-кристалла защитный |
65 |
|
Микросборка на цилиндрических магнитных доменах |
8 |
|
Микросборка ЗУ ЦМД |
8 |
|
Микросборка ЦМД |
8 |
|
Мощность микросборки ЦМД потребляемая |
96 |
|
Мощность потребляемая |
96 |
|
МПФГ |
13 |
|
МСЛ |
47 |
|
Напряжение высокого уровня выходное |
91 |
|
Напряжение высокого уровня микросборки ЦМД выходное |
91 |
|
Напряжение низкого уровня выходное |
92 |
|
Напряжение низкого уровня микросборки ЦМД выходное |
92 |
|
Напряженность поля зарождения |
19 |
|
Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД |
19 |
|
Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД |
20 |
|
Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
21 |
|
Напряженность поля коллапса |
20 |
|
Напряженность поля неустойчивости |
21 |
|
Область устойчивой работы микросборки ЦМД |
97 |
|
Область устойчивости ЦМД |
26 |
|
Обрамление ближайшее |
83 |
|
Обрамление ЗУ на ЦМД электронное |
82 |
|
Обрамление линейное |
83 |
|
Обрамление ЦМД-накопителя линейное |
83 |
|
Обрамление электронное |
82 |
|
Переключатель ввода |
62 |
|
Переключатель ввода-вывода |
60 |
|
Переключатель ввода-вывода реверсивный |
64 |
|
Переключатель ввода-вывода ЦМД |
60 |
|
Переключатель ввода-вывода ЦМД реверсивный |
64 |
|
Переключатель ввода ЦМД |
62 |
|
Переключатель вывода |
61 |
|
Переключатель вывода ЦМД |
61 |
|
Переключатель обменный |
63 |
|
Переключатель ЦМД обменный |
63 |
|
Период вращающегося магнитного поля |
94 |
|
Период вращающегося магнитного поля микроосборки ЦМД |
94 |
|
Петля мажорная |
56 |
|
Петля минорная |
55 |
|
Плата |
32 |
|
Плата микросборки ЦМД |
32 |
|
Пленка доменосодержащая |
13 |
|
Пленка феррита-граната монокристаллическая |
13 |
|
Площадка контактная |
38 |
|
Площадка ЦМД-кристалла контактная |
38 |
|
Подложка МПФГ |
17 |
|
Поле магнитное вращающееся |
72 |
|
Поле микросборки ЦМД магнитное вращающееся |
72 |
|
Поле микросборки ЦМД удерживающее |
81 |
|
Поле смещения |
73 |
|
Поле смещения микросборки ЦМД магнитное |
73 |
|
Поле удерживающее |
81 |
|
Поле управления ЦМД |
74 |
|
Разность сопротивлений детекторов |
123 |
|
Разность сопротивлений детекторов ЦМД |
123 |
|
Растекатель |
35 |
|
Растекатель микросборки ЦМД |
35 |
|
Расширитель |
53 |
|
Расширитель ЦМД |
53 |
|
Регистр ввода |
57 |
|
Регистр ввода-вывода |
56 |
|
Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
56 |
|
Регистр ввода информации микросборки ЦМД |
57 |
|
Регистр вывода |
58 |
|
Регистр вывода информации микросборки ЦМД |
58 |
|
Регистр дефектный |
76 |
|
Регистр хранения |
55 |
|
Регистр хранения информации микросборки ЦМД |
55 |
|
Регистр хранения информации микросборки ЦМД дефектный |
76 |
|
Регистры резервные |
77 |
|
Регистры служебные |
78 |
|
Регистры хранения информации микросборки ЦМД резервные |
77 |
|
Регистры хранения информации микросборки ЦМД служебные |
78 |
|
Режим "старт-стоп" |
80 |
|
Режим "старт-стоп" микросборки ЦМД |
80 |
|
Репликатор |
59 |
|
Репликатор ЦМД |
59 |
|
Решетка ЦМД |
18 |
|
Сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД фазовый |
126 |
|
Сдвиг фазовый |
126 |
|
Сила коэрцитивная динамическая |
24 |
|
Система постоянных магнитов |
34 |
|
Система постоянных магнитов микросборки ЦМД |
34 |
|
Скорость насыщения доменной границы |
25 |
|
Сопротивление генератора |
117 |
|
Сопротивление генератора ЦМД |
117 |
|
Сопротивление детектора |
122 |
|
Сопротивление детектора ЦМД |
122 |
|
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля |
124 |
|
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
124 |
|
Сопротивление обменного переключателя |
121 |
|
Сопротивление обменного переключателя ЦМД |
121 |
|
Сопротивление переключателя ввода |
118 |
|
Сопротивление переключателя ввода-вывода |
117 |
|
Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД |
117 |
|
Сопротивление переключателя ввода ЦМД |
118 |
|
Сопротивление переключателя вывода |
119 |
|
Сопротивление переключателя вывода ЦМД |
119 |
|
Страница данных |
75 |
|
Страница данных микросборки ЦМД |
75 |
|
Структура микросборки ЦМД последовательная |
66 |
|
Структура микросборки ЦМД последовательно-параллельная |
67 |
|
Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием |
71 |
|
Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода |
68 |
|
Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем |
70 |
|
Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода |
69 |
|
Структура последовательная |
66 |
|
Структура последовательно-параллельная |
67 |
|
Структура с блочным реплицированием |
71 |
|
Структура с замкнутым регистром ввода-вывода |
68 |
|
Структура с обменным переключателем |
70 |
|
Структура с раздельными регистрами ввода-вывода |
69 |
|
Схема продвижения |
44 |
|
Схема продвижения ЦМД |
44 |
|
Схема управления |
42 |
|
Схема управления ЦМД |
42 |
|
Ток ввода |
102 |
|
Ток вывода |
103 |
|
Ток генератора |
101 |
|
Ток генератора ЦМД |
101 |
|
Ток детектора |
106 |
|
Ток детектора ЦМД |
106 |
|
Ток обменного переключателя |
104 |
|
Ток обменного переключателя ЦМД |
104 |
|
Ток переключателя ввода ЦМД |
102 |
|
Ток переключателя вывода ЦМД |
103 |
|
Ток репликатора |
105 |
|
Ток репликатора ЦМД |
105 |
|
Ток управления |
100 |
|
Ток управления микросборки ЦМД |
100 |
|
Толщина МПФГ |
30 |
|
Трансфер ввода |
63 |
|
Трансфер ввода-вывода |
61 |
|
Трансфер вывода |
62 |
|
Угол отклонения оси легкого намагничивания МПФГ |
28 |
|
Узел считывания |
49 |
|
Узел считывания микросборки ЦМД |
49 |
|
Узел функциональный |
43 |
|
Узел ЦМД-кристалла функциональный |
43 |
|
Узел чипа функциональный |
43 |
|
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее |
7 |
|
Фактор качества |
23 |
|
Фактор качества ЦМД-материала |
23 |
|
ЦМД |
2 |
|
ЦМД жесткий |
3 |
|
ЦМД информационный |
5 |
|
ЦМД-кристалл |
31 |
|
ЦМД неинформационный |
6 |
|
ЦМД несквозной |
4 |
|
ЦМД-материал |
11 |
|
ЦМД-накопитель |
9 |
|
ЦМД-пластина |
12 |
|
ЦМД-сигнал |
10 |
|
Частота микросборки ЦМД рабочая |
95 |
|
Частота рабочая |
95 |
|
Чип |
31 |
|
Чувствительность детектора ЦМД |
127 |
|
Ширина полосового домена равновесная |
27 |
|
Элемент продвижения |
45 |
|
Элемент продвижения ЦМД |
45 |
|
Элемент сопряжения |
46 |
|
Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД |
46 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
|
Термин |
Номер термина |
|
A map of defective loop |
76 |
|
Bias magnetic field |
73 |
|
Bubble chip |
31 |
|
Bubble collaps field intensity |
20 |
|
Bubble detector |
50 |
|
Bubble generator |
48 |
|
Bubble margin |
26 |
|
Bubble material |
11 |
|
Bubble memory |
7 |
|
Bubble memory controller |
84 |
|
Bubble memory device |
8 |
|
Bubble propagation path |
44 |
|
Bubble replicator |
59 |
|
Bubble signal |
10 |
|
Bubble storage loop |
55 |
|
Chip |
31 |
|
Hard bubble |
3 |
|
Magnetic bubble |
2 |
|
Major loop |
56 |
|
Minor loop |
55 |
|
Propagation element |
45 |
|
Read gate |
61 |
|
Redundant gate |
77 |
|
Replicate gate |
59 |
|
Rotating magnetic field |
72 |
|
Strip domain width |
27 |
|
Swap gate |
63 |
|
Transfer in |
62 |
|
Transfer out |
61 |
|
Write gate |
62 |
|
X'Y coils |
36 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА
Таблица 4
|
Термин |
Определение |
|
1. Магнитоэлектронное изделие |
Изделие, состоящее из конструктивных элементов, функционирующих на основе использования физических явлений магнитной природы |
|
2. Средняя страница |
Страница данных, хранящаяся в регистрах хранения, время выборки, которой равно половине суммы времени выборки первой и последней страницы данных |
|
3. Магнитоодноосный материал |
Магнитный материал, имеющий единственную ось легкого намагничивания |
|
4. Полосовая доменная структура |
Упорядоченная совокупность полосовых доменов |
|
5. Подвижность доменной границы |
Отношение приращения скорости перемещения доменной границы к приращению напряженности продвигающего ее магнитного поля |
|
6. Блоховская граница |
Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, параллельной плоскости доменной границы |
|
7. Неелевская граница |
Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, перпендикулярной плоскости доменной границы |
|
8. Вертикальная блоховская линия |
Переходной неелевский участок доменной границы, разделяющий блоховские участки доменной границы с противоположными направлениям разворота вектора намагничивания |
|
9. Напряженность поля одноосной магнитной анизотропии |
Отношение удвоенной константы одноосной магнитной анизотропии к намагниченности технического насыщения |
|
10. Эффективная напряженность поля одноосной магнитной анизотропии |
Разность напряженности поля одноосной магнитной анизотропии и намагниченности технического насыщения |
Текст документа сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения.
Часть 3: Сб. стандартов. -
М.: Стандартинформ, 2005